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高效晶體硅電池技術(shù)-表面鈍化

早期采用TiO2膜或MgF2/ZnS混合膜以增加對(duì)入射光的吸收，但該方法均需先單獨(dú)采用熱氧化方法生長(zhǎng)一層10～20umSiO2使硅片表面非晶化、且對(duì)多晶效果不理想。SixNy膜層不僅減緩漿料中玻璃體對(duì)
關(guān)鍵字：晶體硅絲網(wǎng)印刷 HF-PECVD

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： RFMEMS開關(guān) 驅(qū)動(dòng)電壓開關(guān)時(shí)間楊氏模量 PECVD

　　以評(píng)估高深寬比TSV 應(yīng)用的金屬化制程　　濕式納米薄膜沉積工藝能夠以低持有成本提供20:1深寬比TSV 　　3D 整合正朝著中段鉆孔(via middle approach)的做法發(fā)展，即在前端工藝之后，但卻在堆疊之前形成TSV。一些應(yīng)用正處于研發(fā)階段，導(dǎo)致TSV技術(shù)的限制和不同規(guī)格。 Alchimer 的技術(shù)顯示出突破現(xiàn)有障礙，實(shí)現(xiàn)高深寬比TSV 的潛力。此次協(xié)作將評(píng)估其技術(shù)的潛力及其大批量生產(chǎn)的適用性。　　Alchimer 的執(zhí)行長(zhǎng)Bruno Morel 表示：「目前的技術(shù)，例如PECV
關(guān)鍵字： Alchimer PECVD

　　應(yīng)用材料公司宣布推出全新等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)薄膜技術(shù)，用于制造適用于下一代平板電腦和電視的更高性能高分辨率顯示。這些源自應(yīng)用材料公司業(yè)界領(lǐng)先的AKT-PECVD系統(tǒng)的先進(jìn)絕緣薄膜，使得基于金屬氧化物的晶體管的應(yīng)用成為可能，制造出尺寸更小、開關(guān)速度更快的像素，從而幫助客戶推出更受消費(fèi)者歡迎的高分辨率顯示屏。　　應(yīng)用材料公司的全新PECVD設(shè)備沉積絕緣介電薄膜，為金屬氧化物晶體管提供了一個(gè)良好的層間界面，從而最大限度地減少了氫雜質(zhì)，提高了晶體管的穩(wěn)定性，實(shí)現(xiàn)了顯示屏的優(yōu)化性能。這些高
關(guān)鍵字：應(yīng)用材料 PECVD

　　為了應(yīng)對(duì)市場(chǎng)變化，北方微電子在集成電路設(shè)備研發(fā)的基礎(chǔ)上加大了太陽(yáng)能電池領(lǐng)域高端設(shè)備的研發(fā)投入，開發(fā)出集成電路12英寸65納米硅刻蝕機(jī)、晶硅太陽(yáng)能電池PECVD設(shè)備和薄膜太陽(yáng)能電池PVD設(shè)備，三種高端設(shè)備將在本次展會(huì)上同時(shí)亮相。
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光伏發(fā)電將成為未來(lái)電網(wǎng)的支柱和方向。隨著我國(guó)《可再生能源法》的頒布實(shí)施，以及近兩年我國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)規(guī)模的迅速擴(kuò)大，生產(chǎn)設(shè)備銷量也大幅增長(zhǎng)。2006年國(guó)產(chǎn)光伏電池設(shè)備銷售額達(dá)到6億元，比2005年增長(zhǎng)76.6%。預(yù)計(jì)2007年國(guó)產(chǎn)光伏電池設(shè)備銷售額將超過(guò)7億元。各類國(guó)產(chǎn)設(shè)備與國(guó)際差距不一 PECVD產(chǎn)能及工藝水平已接近世界先進(jìn)水平，得到越來(lái)越多國(guó)內(nèi)用戶的使用，但設(shè)備自動(dòng)化程度(自動(dòng)裝卸片)與國(guó)外尚有差距。全自動(dòng)絲網(wǎng)印刷機(jī)在核心技術(shù)上無(wú)法取得突破，整體水平和國(guó)外差距較大，國(guó)內(nèi)生產(chǎn)線幾乎全部采用了價(jià)
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 光伏發(fā)電再生能源 PECVD 電源

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